松下电工推出新型半导体继电器


  松下电工日前开发出了半导体继电器“PhotoMOS继电器RF型”中封装面积约为原来60%的产品。体积方面也仅为原来的50%左右。在实现产品的小型化的同时，导通电阻与输出时端口电容之积（CR积）仍保持在10左右。该产品将使用于半导体检测器等需要高速开关的用途。

  由于每台半导体检测器需要使用1万个这样的半导体继电器，所以小型化设计是非常大的优点。然而伴随产品的小型化，往往容易有输出时端口电容等寄生容量增加的倾向。而此次则通过内部电路组成的优化设计控制了寄生容量的增加。这样就可以在减小封装面积的同时抑制输出时端口电容的增加。输出时端口电容与原来的产品同为1pF，与导通电阻相乘之积--CR积仍保持在10Ω·pF的较低水平。完成一个动作所需时间为50μ秒，与机械式继电器相比仅为1/40，速度极高。复位时间为20μ秒。以5mA输入电流最大可控制80mA的负载电流。输出标准值方面，负载电压为40V、负载电流为80mA。采用4.45mm×2.65mm×1.8mm的4脚SSOP封装。同时也支持Taping封装。

该产品的销售将从2001年7月开始，将以50个/月的规模销售。采用开放式价格。